[10p-W933-1~9] 新デバイス・材料開発のためのナノスケール2次元/3次元分析(II)

△ [10p-W933-5] イオン散乱分光法(CAICISS)を用いたLaAlO₃(001)基板の終端面解析

〇李 智蓮¹、Kim Jeong Rae^2,3、Mun Junsik^2,4、Kim Yoonkoo^2,4、Shin Yeong Jae^2,3、Kim Bongju^2,3、Das Saikat^2,3、Wang Lingfei^2,3、Kim Miyoung^2,4、Kim Tae Heon⁵、Noh Tae Won^2,3、リップマー ミック¹ (1.東大物性研、2.CCES, IBS、3.ソウル大物理天文学部、4.ソウル大新素材研、5.蔚山大)

キーワード：酸化物、基板、イオン散乱分光法

原子レベルで平坦かつ単一組成を示す基板の開発は、酸化物ヘテロ界面の研究において不可欠である。LaAlO₃(001)は基板材料として広く使われているが、極性構造を取っているため、単一終端を示す表面を達成することは難しいと言われてきた。本発表では高温アニーリングと水エッチングを組み合わせることで原子レベルで平坦なLaAlO₃(001)基板を実証するレシピを考案し、イオン散乱分光法を用いてAlO₂単一終端を確認した結果を報告する。