[10p-W934-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [10p-W934-9] TID影響下におけるMOSFETの動的特性劣化モデルの開発

〇大島 佑太¹、安藤 幹¹、平川 顕二¹、岩瀬 正幸¹、小笠原 宗博¹、依田 孝¹、石原 昇¹、伊藤 浩之¹ (1.東工大)

キーワード：Total Ionizing Dose effect、CMOS回路、シミュレーション

我々は放射線に長期間晒される環境で顕著な劣化を引き起こすTIDの対策技術を検討している．本研究は，TIDによるMOSFETの特性劣化をVerilog-Aを用いてモデル化し，TIDがCMOS回路へ与える影響と対策をシミュレーションにて考察することを目的として実施した．ドライバ回路にモデルを適用することでTIDによるNMOSのリーク電流増加の影響と対策を明らかにした．