[11a-PB1-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[11a-PB1-2] 分光エリプソメトリーによる結晶Si/ペロブスカイト系タンデム素子の評価

〇(M1)川村 晃希¹、那須野 勇樹¹、石川 良¹、白井 肇¹ (1.埼玉大理工研)

キーワード：界面、ペロブスカイト

前回までにPEDOT:PSS上にSnCl₂の加水分解により形成したSnO₂がペロブスカイト系上部素子のカソード電極及び下部PEDOT:PSS/n-Si素子の再結合コンタクトとして機能することを報告した。しかしPEDOT:PSS/SnO₂界面のキャリア輸送の理解と制御が望まれる。今回はPEDOT:PSS /SnO₂/ペロブスカイト界面の評価を行った。