[11a-PB2-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[11a-PB2-5] ハフニウムを添加したシリコン窒化膜の窒素原子空孔の欠陥準位

〇(M2)新里 健也¹、小林 清輝¹ (1.東海大院工)

キーワード：シリコン窒化膜