[11a-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11a-S422-5] モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池に向けたGaAsPNセルの作製

〇(M1C)高地 俊貴¹、山根 啓輔¹、彦坂 宗¹、藤本 純弥¹、関口 寛人¹、岡田 浩¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：化合物太陽電池、希薄窒化物

Si格子整合系GaAsPN太陽電池を作製したため報告する。結晶成長にはRF-MBE法を用い、N組成5 %および2.8 %の試料を作製した。結果として、N組成5 %および2.8 %の試料では、それぞれ効率が0.039 % , 0.66 %という値が得られた。これはN組成5 %の試料がNに起因する欠陥の影響を受けているためであると考えられ、今後改善が必要である。結論として、Si格子整合系GaAsPN太陽電池の作製ができ、モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池への見通しが得られた。