[11a-W331-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

[11a-W331-6] チップ上光源に向けたSi上inverted-rib Ge層の発光特性評価

〇八子 基樹¹、Chan-Hyuck Park²、Donghwan Ahn²、和田 一実³、石川 靖彦⁴ (1.東大院工、2.国民大学校、3.マサチューセッツ工大、4.豊橋技科大)

キーワード：ゲルマニウム、発光素子

ヘテロエピタキシャル層中の貫通転位密度を低減するinverted-rib構造を用いて成長したSi上Geの発光特性を、光励起により評価した。
入射光強度が20 kW/cm²を超えると急激な発光強度の増大が見られた。