[11a-W331-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

[11a-W331-7] SOQ及びSOS基板上に形成したGe層の光吸収特性

〇(M1)野口 恭甫¹、西村 道治²、松井 純爾³、津坂 佳幸³、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.東大工、3.兵庫県立大)

キーワード：ゲルマニウム、光吸収、格子ひずみ

Ge層を、Siよりも熱膨張係数の小さい石英を下地基板とするSOQ (Si-on-Quartz)基板および熱膨張係数の大きいサファイアを下地基板とするSOS (Si-on-Sapphire)基板へ成長することで格子ひずみ・光吸収端の制御を試みた。
光吸収スペクトルは、SOI基板上Geと比較して、SOQ基板上Geでは長波長側に約50 nmシフトし、SOS基板上Geでは短波長側に約70 nmシフトした。