2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[11a-W351-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2019年3月11日(月) 09:00 〜 12:00 W351 (W351)

藤沢 浩訓(兵庫県立大)、山田 智明(名大)

10:00 〜 10:15

[11a-W351-5] (K, Na)NbO3薄膜へのドーピング効果

譚 ゴオン1、藤田 卓也1、西岡 慎太郎1、神野 伊策1 (1.神戸大工)

キーワード:非鉛系圧電薄膜

現在、Pb(Zr, Ti)O3 (PZT)圧電薄膜の代替材料として(K, Na)NbO3 (KNN) 薄膜が注目されている。KNN薄膜の圧電特性向上のために、様々な元素によるドーピングが有効な手段と考えられているが、これまで系統的な研究報告は少ない。本研究は、多元RFスパッタリング法を用いてKNNとドーパントターゲットを同時スパッタすることでドーピングを行い、電気特性および圧電特性に与える影響を調べた。