[11a-W521-1~4] 17.2 グラフェン

[11a-W521-2] ガリウムを触媒とするエタノール雰囲気中でのグラフェン膜CVD

〇辻 友希¹、有馬 健太¹、山村 和也¹、川合 健太郎¹ (1.大阪大)

キーワード：グラフェン成膜、ガリウム、アルコールCVD

絶縁基板上にグラフェンを形成させる際、従来の熱CVD法はプロセスが煩雑な転写が必要である。そこでガリウムを触媒とすることで、転写を必要とせず直接基板にグラフェンを形成した。液体金属であるガリウムを基板に滴下し、窒素雰囲気下で1000℃に加熱してエタノール蒸気を流すとガリウム表面にグラフェンが形成された。その後ガリウムを除去することで絶縁基板上に直接グラフェンが形成された。