[11p-M113-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

△ [11p-M113-3] 縦型2DHGダイヤモンドMOSFET ; ゲート幅10 mmでの大電流動作(~1 A)の達成

〇(B)西村 隼¹、大井 信敬¹、岩瀧 雅幸¹、露崎 活人¹、大久保 智¹、蔭浦 泰資¹、平岩 篤^1,2、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.名大未来研、3.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、縦型MOSFET、デバイス

1デバイス中に複数のトレンチを形成し、ゲート幅を最大10 mmまで増加させた2次元正孔ガス(2DHG)をキャリアとする縦型2DHGダイヤモンドMOSFETsを作製し、最大ドレイン電流0.96 A(@V_DS:-25 V, V_GS:-20 V)の大電流動作を達成した。本研究の構造から縦型ダイヤモンドMOSFETsでの大電流化を確認し、パワーデバイス応用に向けた縦型高出力MOSFETsの実現を示唆した。