[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-1] 第一原理計算を用いたGaPN混晶中の窒素起因点欠陥の消滅過程に関する考察

〇牧 唯人¹、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、岡田 浩¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：第一原理計算、希薄窒化物混晶

Si基板上多接合型太陽電池の材料となりうるGaPNは、窒素起因の点欠陥により光学的・電気的特性が悪化する。代表的な点欠陥として、V族サイトに2つの窒素原子が置換したN-N対の存在が第一原理計算と実験結果の双方から示唆されている。本研究では、効果的な結晶性改善に向け、第一原理計算によりN-N対の消滅過程を解明することを目的とした。解析結果から、意図的なP空孔の導入によりN-N対を効率的に消滅できる可能性が示された。