[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-10] 分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs 量子ドットの自己形成 (3)

〇(B)佐々木 一夢¹、馬飼野 彰宜¹、坂本 克好¹、山口 浩一¹ (1.電通大基盤理工)

キーワード：量子ドット