[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-11] DWELL構造におけるInAs量子ドット成長に対するIn偏析の影響

〇岡田 直樹¹、生野 大吾¹、王 涛¹、大河内 俊介²、尾崎 信彦¹ (1.和歌山大シス工、2.NEC)

キーワード：エピタキシャル成長、Ⅲ-Ⅴ族半導体、分子線エピタキシー