[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-3] 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製

〇(M1)田中 元幸¹、馬場 慶一郎¹、山口 浩一¹ (1.電通大基盤理工)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ、分子線エピタキシー