[11p-PA4-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-PA4-4] 窒素をデルタドープした GaAs の３パルスフォトンエコー測定

〇田久保 悠一¹、石澤 輝¹、佐久間 芳樹²、池沢 道男¹ (1.筑波大物理、2.物材機構)

キーワード：四光波混合、窒素をデルタドープしたGaAs

GaAs中に希薄にデルタドープされた窒素不純物によって形成される発光中心は数百ps程度の短い寿命を持つ明るい単一光子源として有用である。我々は以前、これらの窒素発光中心に束縛された励起子のコヒーレンスを評価するために、２パルスのヘテロダイン検出縮退四光波混合(FWM)を用いてフォトンエコー信号を観測し、位相緩和時間を測定した。今回、３パルスによる誘導エコーを観測したので報告する。