2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

[11p-PB1-1~40] 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

2019年3月11日(月) 13:30 〜 15:30 PB1 (武道場)

13:30 〜 15:30

[11p-PB1-8] InGaN/GaN ナノコラムプラズモニック結晶における発光増強率の分散関係

菊地 主馬1、〇大音 隆男3、岡本 晃一4、富樫 理恵1、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク、3.山形大院理工、4.阪府大院工)

キーワード:プラズモニック結晶、InGaN、ナノコラム

本研究グループでは,InGaN系LEDにおいて特に発光効率が低い赤色領域の発光効率を改善するために,InGaN/GaN ナノコラム(ナノワイヤ)を用いたプラズモニック結晶に着目し,研究を推進している.今回,ナノコラムプラズモニック結晶の発光増強メカニズムを詳細に理解するために,角度分解PL から発光増強率の分散関係を測定した結果,発光増強率がバンド構造を有し,プラズモニックバンドの計算結果とよい一致を示した.