[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-14] ショットキーバリア特性を用いたp-GaN エピ層のキャリア濃度評価

〇松山 秀昭¹、上野 勝典¹、高島 信也¹、田中 亮¹、福島 悠太¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機)

キーワード：p-GaN、正孔濃度、ショットキーバリア特性

p-GaNは深い不純物準位を持つため、ショットキーダイオードのCV特性から正孔濃度を評価できない。不純物の電荷が励起できない高周波を用いたCV測定からこの正孔濃度を評価した。