[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-2] 低バイアスエッチング後のGaN on GaN表面形態

〇宇崎 滉太¹、新海 聡子¹ (1.九工大情)

キーワード：窒化ガリウム