[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-26] 局所光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキー光電流増強効果

〇川津 琢也¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：半導体、電界効果トランジスタ、光電流

ショットキー障壁光検出器は、半導体と金属薄膜により構成されており、検出エネルギーは、半導体のバンドギャップではなく、半導体‐金属ゲート界面に生ずるショットキー障壁により決められる。このため、幅広い波長の光検出が材料の選択によって可能となる。ショットキー障壁光検出器では、検出効率向上のため、裏面照射や金属ゲートの超薄膜化、光共振器の利用、ショットキー障壁の２重化など様々な工夫が施されている。本研究では、n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおけるショットキー光電流を調べる。特に、金属ゲート照射によって引き起こされるショットキー光電流が、局所光照射により大きく増強されることを示す。