[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-3] ミストCVD法を用いたvan der Waals epitaxyによるフレキシブルなε-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇(M1)新田 悠汰¹、田原 大祐¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、van der Waals epitaxy、フレキシブルエレクトロニクス

本研究では、大きな分極を持つことが理論的に示されている強誘電体ε-Ga₂O₃を、ミストCVD法を用いて合成MICA基板上へvan der Waals epitaxyさせた。その結果、フレキシブルかつ可視光に対して透明なε-Ga₂O₃薄膜の成長に世界で初めて成功した。