[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-5] パルスエキシマレーザー照射によるβ-Ga₂O₃薄膜の室温固相エピタキシーにおける結晶化過程の評価

〇(M1)森田 公之¹、大賀 友瑛¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ガリウム、ワイドギャップ、固相エピタキシー

β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）は約4.9 eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり、紫外域のオプトエレクトロニクスをはじめ高耐圧パワーデバイスなどへの応用が期待されている。我々はNiO緩衝層による成膜温度の低温下や、室温エキシマレーザーアニーリング（ELA）による低温合成などについて報告してきた。短パルス幅な紫外パルスレーザーを用いるELAでは、前駆体のバンドギャップに応じた波長を選択することによる半導体の効率的なエネルギー吸収と極短時間の結晶化を誘起することが可能となる。
本研究では透過型電子顕微鏡(TEM)によるβ-Ga₂O₃のエピタキシャル成長の観察や、照射パルス数などELA条件が結晶性・配向性、表面モフォロジーに及ぼす影響について検討した。