15:30 〜 15:45
[11p-S222-7] 高純度オゾン由来の活性種を用いたAl2O3 バリア膜の室温ALD 成膜
キーワード:オゾン酸化膜、室温CVD・ALDプロセス、バリア膜
室温成膜技術は、耐熱性の低いフレキシブル基板上の有機EL デバイス作製プロセス等に必
要である。特にAl2O3 膜は、水蒸気等からデバイスを保護するバリア膜として注目されている。
我々は前回までに高純度オゾン(O3)とエチレン(C2H4)ガスの反応による大量のOH ラジ
カル生成技術をCVD に適用し、室温でのSiO2 成膜に成功した。今回、同技術をALD プロセ
スに展開して室温でのAl2O3 成膜を試みたので報告する。
当日はAl2O3膜のバリア性(水蒸気透過度)、電気的特性等の膜質を報告する予定である。
要である。特にAl2O3 膜は、水蒸気等からデバイスを保護するバリア膜として注目されている。
我々は前回までに高純度オゾン(O3)とエチレン(C2H4)ガスの反応による大量のOH ラジ
カル生成技術をCVD に適用し、室温でのSiO2 成膜に成功した。今回、同技術をALD プロセ
スに展開して室温でのAl2O3 成膜を試みたので報告する。
当日はAl2O3膜のバリア性(水蒸気透過度)、電気的特性等の膜質を報告する予定である。