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△ [11p-S422-4] 二重層構造を有するInAs/GaAs長波長量子ドットの成長
キーワード:量子ドット、ヒ化インジウム、二重層構造
量子ドットの概念が提案された以来、サイズ制御および歪み緩和層の導入などで長波化を図られてきた。しかし、InAs/GaAs材料起因の問題より、1.4μm以上の長波長では、発光強度などの特性の顕著な低下が報告されている。本報告では、InAs/GaAs二重層構造を有する量子ドット構造を成長し、InGaAs歪み緩和キャッピングを行うことで、1.45μm付近で19.5meVの狭線幅を持つことを確認したので報告する。