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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年3月11日(月) 13:45 〜 17:00 S422 (S422)

鈴木秀俊(宮崎大)、松本功(大陽日酸)

16:00 〜 16:15

[11p-S422-7] Inフラッシュ法を用いたInAs/GaAs量子ドットの高体積密度化

〇角田雅弘¹、權晋寛¹、渡邉克之¹、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

キーワード：分子線エピタキシー