2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11p-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年3月11日(月) 13:45 〜 17:00 S422 (S422)

鈴木 秀俊(宮崎大)、松本 功(大陽日酸)

16:30 〜 16:45

[11p-S422-9] 大粒径Geシード層を利用したガラス上GaAs膜の合成と分光感度実証

西田 竹志1、茂藤 健太1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院)

キーワード:GaAs、分子線エピタキシー法、Al誘起結晶化法