[11p-S423-1~18] 11.1 基礎物性

[11p-S423-5] Bi-2223単結晶とintergrowth Bi-2212 のT_c における圧力効果

〇足立 伸太郎¹、松本 凌^1,2、原 裕^1,2、齋藤 嘉人^1,2、宋 鵬^1,2、竹屋 浩幸¹、渡辺 孝夫³、高野 義彦^1,2 (1.物材機構、2.筑波大、3.弘前大)

キーワード：銅酸化物高温超伝導体、Bi-2223、Bi-2212

銅酸化物超伝導体の転移温度(T_c)は高圧を用いて上昇させることができるが、その機構や上限は未解明である。本研究では、ダイヤモンドアンビルセル(DAC)を用いた抵抗測定によって、ビスマス系銅酸化物Bi2223とそのintergrowth Bi2212におけるT_cの圧力依存性を調べた。T_cの圧力依存性はドーム型を示すことからドーピング効果の存在が示唆され、多層型銅酸化物のT_c制御に高圧が有効であることが考えられる。