[11p-W321-1~14] 13.9 化合物太陽電池

[11p-W321-2] HVPE法によるトンネル接合に向けた高濃度ドーピングの検討

〇大島 隆治¹、庄司 靖¹、牧田 紀久夫¹、生方 映徳²、菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：III-V族化合物半導体、太陽電池、ハイドライド気相成長法

我々は、製造コストの低減を目指してHVPE法を用いたIII-V族太陽電池の開発を行っている。今回、多接合太陽電池の実現に向けたGaAsへの高濃度ドーピングとトンネル接合を検討した。DMZnを用いたp型ドーピングでは10¹⁹cm^-3以上のキャリア濃度を達成した一方で、H₂Sを用いたn型では5x10¹⁸cm^-3で飽和した。しかし、Sを過剰にドープしたn層をトンネル層に用いることにより、5A/cm^-2のピークを有するトンネル電流が欠陥を介して発生することが分かった。