[11p-W351-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [11p-W351-11] SrTiO₃/TiO₂エピタキシャルバッファー層の導入がMgO基板上(Ba, Sr)TiO₃薄膜の電気・光学特性に与える影響

〇(DC)近藤 真矢¹、山田 智明¹、吉野 正人¹、長崎 正雅¹ (1.名大工)

キーワード：強誘電体薄膜、エピタキシャル成長

MgO基板は、強誘電体薄膜を用いた光変調デバイスや高周波チューナブルデバイスに適した基板として期待される。本研究では、1 MLのTiO₂と10 nmのSrTiO₃（STO）からなるSTO /TiO₂エピタキシャルバッファー層を導入することで、SrRuO₃ 下部電極及び(Ba,Sr)TiO₃（BST）強誘電体層の成長モードを変化させ、薄膜表面の平滑性と結晶性を大幅に向上させることに成功した。このSTO /TiO₂バッファー層導入による結晶性の違いが、BST薄膜の電気・光学特性に及ぼす影響について発表する。