[11p-W834-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-W834-18] 電子スピン常磁性共鳴によるバルクおよび薄膜BaSi₂内の欠陥の調査

〇佐藤 拓磨^1,2、Gambarelli Serge²、Barra Anne-Laure³、末益 崇¹ (1.筑波大、2.UGA, CEA, CNRS, INAC-SyMMES、3.LNCMI-CNRS)

キーワード：電子スピン常磁性共鳴、薄膜太陽電池、格子欠陥

BaSi₂は新規薄膜太陽電池の有望な候補として近年注目されている。実際にSi基板とのヘテロ接合構造においてシリサイド系の物質として最高の変換効率を達成している。直近ではBaSi₂ホモ接合構造による太陽電池動作の報告がなされた。本研究ではさらなる変換効率の向上を目指し、実用化への観点からも必要不可欠な、BaSi₂内の格子欠陥に焦点をあてる。