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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-W834-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年3月11日(月) 13:15 〜 18:30 W834 (W834)

末益崇(筑波大)、立岡浩一(静大)、山口憲司(量研機構)、原康祐(山梨大)

15:00 〜 15:15

△ [11p-W834-7] 三段階成長法によるBaSi₂光吸収層の高品位エピタキシャル成長

〇山下雄大¹、佐藤拓磨¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体、太陽電池、MBE成長