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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-W834-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年3月11日(月) 13:15 〜 18:30 W834 (W834)

末益崇(筑波大)、立岡浩一(静大)、山口憲司(量研機構)、原康祐(山梨大)

15:15 〜 15:30

[11p-W834-8] Ba/Si堆積レート比がB-doped BaSi₂膜の少数キャリア寿命に与える影響

〇杉山周¹、木村裕希²、山下雄大¹、都甲薫¹、宇佐美徳隆²、末益崇¹ (1.筑波大、2.名古屋大)

キーワード：半導体