2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年3月12日(火) 09:30 〜 11:30 PA3 (屋内運動場)

09:30 〜 11:30

[12a-PA3-2] ミストCVD における酸化亜鉛薄膜形成時の水の効果

ルトンジャン ピモンパン1、〇西 美咲1、川原村 敏幸1、坂本 雅仁1、刘 丽1、佐藤 翔太1、上田 真理子1、安岡 龍哉1、長谷川 諒1、尾崎 珠子1、鄧 太 江1 (1.高知工科大)

キーワード:ミストCVD

本研究室で開発を進めているミスト流を利用した機能膜形成技術「ミストCVD」は最近、時間的・空間的な隔たりをうまく活用することが可能な気液混相流を利用する事で、従来の機能膜形成技術では不可能であった事ができる新世代(第3世代)技術へと進化してきた。今回はこの第3世代ミストCVDを利用してZnO薄膜の高品質化に関する研究を行った。表面での原料の挙動等に関して理論と併せて詳しく説明したい。