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△ [12a-PA3-23] α-Fe2O3バッファー層を用いたr面α-Al2O3基板上の準安定相rh-ITOエピタキシャル薄膜の成長と評価
キーワード:透明導電膜、ITO、酸化物半導体
rh-ITOは合成に高圧高温が必要なため、その薄膜成長に関する報告はほとんどなされていない。本報告ではα-Fe2O3をバッファー層を挿入したr面α-Al2O3基板上の準安定相rh-ITOエピタキシャル成長とその物性について報告する。成膜にはミストCVD法を用いた。またSnの添加量による物性変化も報告する。本報告で行った評価からrh-ITOは従来のbcc-ITOと同様の物性を持つことが示唆される。