[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12a-PA3-23] α-Fe₂O₃バッファー層を用いたr面α-Al₂O₃基板上の準安定相rh-ITOエピタキシャル薄膜の成長と評価

〇島添 和樹¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：透明導電膜、ITO、酸化物半導体

rh-ITOは合成に高圧高温が必要なため、その薄膜成長に関する報告はほとんどなされていない。本報告ではα-Fe₂O₃をバッファー層を挿入したr面α-Al₂O₃基板上の準安定相rh-ITOエピタキシャル成長とその物性について報告する。成膜にはミストCVD法を用いた。またSnの添加量による物性変化も報告する。本報告で行った評価からrh-ITOは従来のbcc-ITOと同様の物性を持つことが示唆される。