[12a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-W541-12] 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に金属添加が与える影響

〇冨田 大輔¹、包 全喜^1,3、斉藤 真^1,2、栗本 浩平³、佐藤 福馬¹、石黒 徹¹、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.三菱ケミカル、3.日本製鋼所)

キーワード：窒化物半導体、アモノサーマル

酸性アモノサーマル法により育成した窒化ガリウムの結晶成長速度と結晶品質に及ぼす金属添加の影響について検討した。 Al、Si、Ca、Tiを添加し、酸性アモノサーマル法により結晶成長させた。 金属を添加すると結晶成長速度は低下した。 しかし、アルミニウムを添加すると、育成した窒化ガリウム結晶の光学特性および結晶性は向上した。 このように、Alを添加することにより高品質の結晶が得られることを見出した。