[12a-W631-1~13] CS.3 3.11 フォトニック構造・現象、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[12a-W631-10] GaAsナノ構造膜における内蔵電場に起因した二種テラヘルツ波放射の共存ダイナミクス

〇長谷川 尊之¹、奥島 雄大¹、田中 義人¹ (1.兵庫県立大院物質理)

キーワード：テラヘルツ、キャリア輸送、プラズモン

n型GaAs層（厚み3 μm）の上に非ドープGaAs層（200 nm）をエピタキシャル成長させたナノ構造膜をフェムト秒レーザーで励起すると、非ドープ層の内蔵電場に起因した“キャリア非平衡輸送”および“プラズモン-フォノン結合振動”が生じ、それぞれがテラヘルツ波を放射する。我々は、これら二種のテラヘルツ波放射応答を同時に対象とし、共存下での放射ダイナミクスを調査したのでその結果について報告する。