[12p-M111-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[12p-M111-9] シリコン結晶基板の品質と点欠陥（1）4.5時代の70年

〇井上 直久^1,2 (1.東京農工大工学院、2.大阪府大放射線センター)

キーワード：シリコン結晶、点欠陥、デバイス

シリコン結晶とトランジスタが誕生してから70年の歴史を段階と課題と技術について統一した目で振り返った。段階はTr・IC時代、LSI時代、ICチップ時代、インフラ時代の4つに分けられ、課題は使用デバイスの品質とコストで、欠陥は段階毎にスワール、酸化誘起積層欠陥、空洞、CiOi複合体と推移し、主役は酸素・炭素・窒素の不純物と点欠陥と応力で、貢献技術は電子顕微鏡、赤外吸収、欠陥などの制御、理論である。