[12p-M113-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12p-M113-3] 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性

東 英実¹、笠原 健司²、山本 圭介³、工藤 康平¹、山田 晋也¹、金島 岳¹、中島 寛⁴、〇浜屋 宏平¹ (1.阪大基礎工、2.福大理、3.九大総理工、4.九大GIC)

キーワード：ゲルマニウム、金誘起層交換成長、薄膜トランジスタ