[12p-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[12p-W611-10] SiスロットEr_xY_2-xSiO₅導波路に形成したグレーティングカプラの検討

〇小澤 正行¹、ガブリエル デルガド¹、中村 絃人¹、田中 康仁²、一色 秀夫¹ (1.電通大、2.シンクロン)

キーワード：グレーティングカプラ

シリコンフォトニクスのさらなる集積度の増加に伴い、オンチップ集積した光増幅器の必要性が高まると考えられる。本研究室では、Cバンドで高い光学利得を持つEr_xY_2-xSiO₅結晶を用い、シリコンフォトニクスにおけるオンチップ光増幅器の開発を行っている。本研究では、基板上in-lineでの光入射、光検出を目的としてSiスロットEr_xY_2-xSiO₅導波路上に形成した Grating Couplerについて検討を行った。更に、Radical Assisted Sputterring法を用いてGrating CouplerをもつSiスロットEr_xY_2-xSiO₅導波路の試作を行った。