[12p-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[12p-W611-9] 1550nm 帯光集積回路に向けたイオン注入による量子ドット組成混晶化の実験的・数値解析的検討

〇松本 敦¹、赤石 陽太²、伊澤 昌平²、松島 裕一²、宇高 勝之² (1.情通機構、2.早大理工)

キーワード：量子ドット、組成混晶化、光集積回路

本稿では、量子ドット組成混晶化を実施した量子ドットウェハの発光特性や電子状態を実験・数値解析により検討し、量子ドット組成混晶化により発光波長を大きくシフト出来るだけでなく、発光効率を向上させる特性も有する点を見出したので報告する。