[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [9a-M121-8] 再成長AlGaNによるAl₂O₃/AlGaN/GaN構造の絶縁膜/半導体界面特性の向上

〇(M1C)河端 晋作¹、アスバル ジョエル¹、徳田 博邦¹、山本 暠勇¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaN、再成長、絶縁膜/半導体界面

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性を有するため次世代のパワー半導体として期待されている。しかし安全面の観点より、ノーマリーオフ動作が要求される。これを実現するため、リセスゲート構造を形成し、絶縁膜を堆積するプロセスが用いられている。絶縁膜界面特性とトランジスタの安定性には密接な関係があると考えられるため、絶縁膜/AlGaN界面の特性を向上させることは重要である。本研究では有機金属気相成長(MOCVD)法を用いて、再成長AlGaN層を有するAl₂O₃/AlGaN/GaN構造のキャパシタを試作し、C-V特性について検討したので報告する。