[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-10] 4H-SiC(1-100)表面でのO₂酸化反応シミュレーション

〇広瀬 隆之¹、小笠原 美紀¹ (1.富士電機)

キーワード：シミュレーション、SiC、酸化反応

SiC-MOSFETにおいて、チャネル移動度低下を引き起こすSiC/SiO₂界面でのトラップ電荷密度が高い原因として、SiC/SiO2界面近傍の余剰炭素が指摘されている。この余剰炭素の存在場所が面方位によって異なっており、そのメカニズム解析の一環として、(1-100)表面でのO₂酸化反応シミュレーションを実施した。その結果、酸化層とSiC界面にC-C結合が生成し、一部SiC側にも生成する挙動がみられた。また、酸化が進行すると酸化層側に移動する挙動がみられた。発表では、さらにO₂分子を導入し、界面構造の変化やC-C結合の分解過程の考察、面方位による違いを考察する予定である。