[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-12] 機械的な一軸応力印加による 4H-SiC(0001) MOSFET に対する移動度への影響

〇竹内 和歌奈^1,2、朽木 克博³、籠島 瑛二⁴、大西 徹⁴、岩崎 真也⁴、坂下 満男²、藤原 広和⁴、中塚 理² (1.愛知工大、2.名古屋大学、3.(株)豊田中研、4.トヨタ自動車（株）)

キーワード：4H-SiC、移動度、一軸応力