2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9a-W933-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月9日(土) 09:00 〜 11:30 W933 (W933)

矢嶋 赳彬(東大)

09:30 〜 09:45

[9a-W933-3] 岩塩型超伝導/強磁性ヘテロエピタキシャル薄膜:LaO/EuO

神永 健一1、岡 大地2、岡 博文1、福村 知昭1,2,3,4 (1.東北大WPI-AIMR、2.東北大院理、3.東北大CSIS、4.東北大CSRN)

キーワード:超伝導スピントロニクス、薄膜、パルスレーザー堆積法

超伝導/強磁性ヘテロ接合を用いた超伝導スピントロニクスが理論・実験両面からさかんに研究されている。超伝導体と強磁性体の近接効果を調べるには清浄で急峻な接合界面をもつヘテロエピタキシャル薄膜が望ましいが、岩塩型ではこれまで実現していなかった。今回、岩塩型の新超伝導体LaOと強磁性半導体EuOを用いて高品質なLaO/EuOヘテロエピタキシャル薄膜を作製し、強磁性層による超伝導の抑制効果を観測したので報告する。