[9p-PA3-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[9p-PA3-7] 静電塗布法によるナノアモルファス層状窒化炭素薄膜の作製

渡辺 貴大¹、平井 正明²、財部 健一²、〇大谷 直毅¹ (1.同志社大理工、2.岡山理大理)

キーワード：窒化炭素、静電塗布法、薄膜作製

層状窒化炭素(g-C₃N₄)は単層で約2.7 eVのバンドギャップを持つ非金属半導体である。その特徴的なエネルギー準位のために、白色発光ダイオードや光検出器、光触媒の研究が進められている。g-C₃N₄は窒素と炭素から合成されているため、低環境負荷で低コストでの生産が期待されている。しかしながら、デバイス作製に必要な平坦な薄膜の作製が困難である。そこで本研究では、大気圧窒素プラズマ法で合成されたナノアモルファス層状窒化炭素(na-g- C₃N₄) を溶液に分散させ、静電塗布法で均一なna-g-C₃N₄薄膜の作製を目標とした。