2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月9日(土) 16:00 〜 18:00 PA4 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[9p-PA4-11] CuとNiSiを用いた抵抗変化型不揮発性メモリ

仲山 広記1、塚本 貴広2、雑賀 章浩3、加藤 格3、鮫島 俊之1、須田 良幸1 (1.東京農工大院工、2.電気通信大、3.東京高専)

キーワード:抵抗変化メモリ

本研究ではCuとNiという酸化力の異なる2種類の材料を使用したAu/CuOx/CuxNiyOz/Ni/n-Si構造のメモリ素子において高いon/off電流比の取得に成功した。今回はCuとNiSiという、より酸化力の異なる2種類の材料を使用したAu/CuOx/(CuxNiySiz)On/NiSi/n-Si構造のメモリを新たに提案する。その基本的動作特性を示し、動作原理について考察する。