[9p-PB1-1~80] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター講演）

[9p-PB1-58] スピン注入に向けた GaAs 基板上への Co₂Fe_0.4Mn_0.6Si 薄膜の作製

〇(M1)王 君成¹、小池 剛央¹、大兼 幹彦¹、角田 匡清¹、安藤 康夫¹ (1.東北大院工)

キーワード：スピン注入、半導体

半導体への効率的なスピン注入を実現するため，理論的に100%のスピン分極率を持つハーフメタルを用いることが提唱されている. 本研究では，GaAs基板上に高品位なCo₂Fe_0.4Mn_0.6Si薄膜を作製することを目的とした．結果として，熱処理によって高い飽和磁化が得られたもののGaAs基板側では熱拡散による析出相が確認された．析出相による界面状態の劣化は高効率なスピン注入を実現するための課題と考えられ，今後改善を図る必要がある．