[9p-PB4-1~11] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[9p-PB4-7] アモルファス酸化物薄膜半導体In-Si-O薄膜の相安定性

〇堀 龍輝¹、ホアン ハ¹、生田目 俊秀²、塚越 一仁²、藤原 明比古¹ (1.関学大、2.物質材料研)

キーワード：アモルファス、酸化物半導体

酸素との結合乖離エネルギーが高いSiを固溶したIn-Si-O(ISO)は、酸素欠損が生じにくく、アモルファス構造が安定することから、新たなディスプレイの駆動素子材料として期待されている。しかし、これを用いたデバイス作製に必要であるアモルファス構造とSi濃度の詳細な関係は明らかになっていない。そのため、Si濃度を変化させたISO薄膜作製と熱処理を行い、ISOのアモルファス構造の安定性を評価した。