[9p-PB6-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[9p-PB6-5] シリコン系太陽電池向け酸化タングステン膜の表面処理による仕事関数制御

〇安田 洋司¹、寺田 潤平¹、松本 和希¹、内田 孝幸¹、宮島 晋介²、白取 優大²、星 陽一¹ (1.東京工芸大工、2.東工大工)

キーワード：薄膜シリコン系太陽電池、酸化タングステン、仕事関数

現在、シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の正孔選択層であるp-a-Si:Hの代替材料として酸化タングステン(WO₃)膜が注目されている。我々の研究室ではその応用に向け検討を始めたが、スパッタ時にターゲットから放出される酸素負イオンや二次電子による基板衝撃によって下地層のa-Si:Hにダメージを与える可能性が指摘されている[1]。そこで我々は低ダメージ対向ターゲット式スパッタによる堆積を試みてきた。SHJ太陽電池の正孔選択層に利用するためには膜の仕事関数や酸素欠陥が大きな影響を与えると考えているが未だ詳細な検討はされていない。本研究では、堆積したWO₃薄膜の仕事関数が表面処理を施すことでどのように変化するか調べることで、正孔選択層WO₃膜の仕事関数の制御方法について検討したので報告する。