[9p-PB6-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[9p-PB6-7] 触媒分解で生成したNH₃系ラジカル処理がSiN_x膜のパッシベーション性能に与える影響

〇(M1)住友 誠明¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：パッシベーション、触媒化学気相堆積、窒化シリコン

結晶Si表面へのNH₃系ラジカル処理がSiN_x膜のパッシベーション性能におよぼす影響について調査した。ラジカル処理時の基板温度上昇にともない少数キャリア寿命(τ_eff)は向上し、処理時間が長くなるとτ_effの低下が見られた。触媒分解で生成したHラジカルによるSiのエッチングが影響している可能性が示唆される。NH₃系ラジカルにSi表面を曝露する際、適切な基板温度と処理時間の選定が必要である。